เฟต(FET)

เฟต (FET) เฟทมาจากคำว่า Field Effect Transistor เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดหนึ่งคล้ายทรานซิสเตอร์ แต่มีคุณสมบัติพิเศษกว่าทรานซิสเตอร์ จึงถูกนำมาใช้งานอย่างกว้างขวาง รูปร่างภายนอกเหมือนทรานซิสเตอร์ทุกประการ แต่แตกต่างกันตรงเบอร์ใช้งาน และคุณสมบัติอันพิเศษกว่านั่นเอง

รูปที่ 1

ความพิเศษของ FET คือ มีค่าอิมพิแดนซ์ทางด้านอินพุตสูงมาก (ทรานซิสเตอร์มีอิมพิแดนซ์ต่ำ) อัตราการทนแรงดันและกระแสสูง และสำหรับ FET การทำงานจะใช้สนามไฟฟ้าควบคุม (ทรานซิสเตอร์ใช้กระแส) เป็นที่มาของคำว่า Field Effect Transistor มีสองแบบคือ แบบพีแชนแนลและเอ็นแชนแนล นอกจากนี้ FET ยังแบ่งออกเป็นสองชนิด คือ JFET และ MOSFET ซึ่งแตกต่างกันที่โครงสร้างภายใน

เจเฟต (JFET)

JFET มาจากคำว่า Junction Field Effect Transistor โครงสร้างประกอบด้วยชั้นสารซิลิกอน N ซึ่งได้รับการแพร่ลงบนรอยต่อของชิ้นสารพีและเอ็น FET มีขาใช้งาน 3 ขา คือ เดรน (Drain), ซอร์ส (Source), เกต (Gate) เขียนย่อว่า D, S, G ตามลำดับ

รูปที่ 2

ความสามารถในการนำกระแสของ FET ขึ้นอยู่กับแรงดันที่ขาเกต ถ้าแรงดันเป็นลบมาก กระแสที่ไหลผ่านเดรนกับซอร์สจะน้อย และถ้าแรงดันนี้ถึงค่าหนึ่ง จะทำให้ไม่มีกระแสเดรนไหลเลย แรงดันเกตนี้เรียกว่า แรงดันพิตช์ออฟ (Pitch-off Voltage) ปกติมีค่าประมาณ -5 โวลต์

มอสเฟต (MOSFET)

MOSFET มาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็น FET ที่มีการเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ ข้อเด่นคือ ค่าความต้านทานทางอินพุต (Gate) สูงมาก MOSFET แบ่งเป็น 2 แบบ คือ แบบดีพลีชั่น และแบบเอนฮานซ์เมนต์ โดยแบบดีพลีชั่นใช้ไฟลบควบคุมการทำงาน ส่วนแบบเอนฮานซ์เมนต์ใช้ไฟบวกควบคุม

รูปที่ 3

MOSFET มักใช้ในงานที่ต้องการกำลังวัตต์สูง เช่น ภาคควบคุมไฟ (Switching Power Supply), เครื่องขยายเสียง MOSFET เป็นต้น