เฟต(FET)เฟทมาจากคำว่า Field Effect Transistor เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดหนึ่งคล้ายทรานซิสเตอร์ แต่คุณสมบัติอันพิเศษกว่าทรานซิสเตอร์จึงมีประโยชน์ในด้านการใช้งานนั้นมาก และถูกนำมาใช้งานอย่างกว้างขวาง รูปร่างภายนอกนั้นเหมือนทรานซิสเตอร์ทุกประการ แต่จะแตกต่างกันตรงเบอร์ใช้งานและคุณสมบัติอันพิเศษกว่าทรานซิสเตอร์นั่นเอง
รูปที่1
ความพิเศษของมันคือ มีค่าอิมพิแดนซ์ทางด้านอินพุตสูงมาก (ทรานซิสเตอร์มีอิมพิแดนซ์ต่ำ) อัตราการทนแรงดันและกระแส สูง และสำหรับเฟทแล้ว การทำงานจะใช้สนามไฟฟ้าควบคุม (ทรานซิสเตอร์ใช้กระแส) เป็นที่มาของคำว่า Field Effect Transistor มีสองแบบด้วยกันคือ แบบพีแชลแนลและเอ็นแชลแนล นอกจากนี้เฟทแบ่งออกเป็นสองชนิด คือ JFET และ MOSFET สองชนิดนี้แตกต่างกันที่โครงสร้างภายในของการวางชิ้นสารกึ่งตัวนำพีและเอ็น
เจเฟต(JFET)เจเฟตมาจากคำว่า Junction Field Effect Transistor ลักษณะโครงสร้างประกอบไปด้วยชั้นสารซิลิกอน N ซึ่งได้รับการแพร่ลงบนรอยต่อของชิ้นสารพีและสารเอ็น เฟตนั้นมีขาใช้งาน 3 ขา คือ เดรน(drain),ซอร์ส(source),เกต(gate) เขียนย่อว่า D,S,G ตามลำดับ
รูปที่2
ความสามารถในการนำกระแสของเฟตนั้นขึ้นอยู่กับแรงดันที่ขาเกต ถ้าแรงดันเป็นลบมาก กระแสที่ไหลผ่านเดรนกับซอร์ทก็จะน้อย และถ้าแรงดันนี้เป็นลบถึงค่าหนึ่ง จะทำให้ไม่มีกระแสเดรนไหลเลย แรงดันเกตนี้เรียกว่า แรงดันพิตช์ออฟ(pitch off voltage) ปกติมีค่าประมาณ -5 โวลต์
มอสเฟต(MOSFET)มอสเฟตมาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่มีการเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ ค่าความต้านทานทางอินพุต(เกต)มีค่าสูงมาก มอสเฟตแบ่งเป็นสองแบบคือ แบบดีพลีชั่นและแบบเอนฮานซ์เมนต์ ทั้งสองแบบนี้ควบการทำงานแตกต่างกัน คือ แบบดีพลีชั่นใช้ไฟลบควบคุมทำงานของมอสเฟต ส่วนแบบเอนฮานซ์เมนต์ใช้ไฟบวกควบคุมการทำงานของมอสเฟต
รูปที่3
มอสเฟตส่วนใหญ่มักนำไปใช้ในงานที่ใช้กำลังวัตต์สูงๆ เช่น ภาคควบคุมไฟ(switching power supply) , เครื่องขยายเสียงมอสเฟต เป็นต้น
รูปที่1
ความพิเศษของมันคือ มีค่าอิมพิแดนซ์ทางด้านอินพุตสูงมาก (ทรานซิสเตอร์มีอิมพิแดนซ์ต่ำ) อัตราการทนแรงดันและกระแส สูง และสำหรับเฟทแล้ว การทำงานจะใช้สนามไฟฟ้าควบคุม (ทรานซิสเตอร์ใช้กระแส) เป็นที่มาของคำว่า Field Effect Transistor มีสองแบบด้วยกันคือ แบบพีแชลแนลและเอ็นแชลแนล นอกจากนี้เฟทแบ่งออกเป็นสองชนิด คือ JFET และ MOSFET สองชนิดนี้แตกต่างกันที่โครงสร้างภายในของการวางชิ้นสารกึ่งตัวนำพีและเอ็น
เจเฟต(JFET)เจเฟตมาจากคำว่า Junction Field Effect Transistor ลักษณะโครงสร้างประกอบไปด้วยชั้นสารซิลิกอน N ซึ่งได้รับการแพร่ลงบนรอยต่อของชิ้นสารพีและสารเอ็น เฟตนั้นมีขาใช้งาน 3 ขา คือ เดรน(drain),ซอร์ส(source),เกต(gate) เขียนย่อว่า D,S,G ตามลำดับ
รูปที่2
ความสามารถในการนำกระแสของเฟตนั้นขึ้นอยู่กับแรงดันที่ขาเกต ถ้าแรงดันเป็นลบมาก กระแสที่ไหลผ่านเดรนกับซอร์ทก็จะน้อย และถ้าแรงดันนี้เป็นลบถึงค่าหนึ่ง จะทำให้ไม่มีกระแสเดรนไหลเลย แรงดันเกตนี้เรียกว่า แรงดันพิตช์ออฟ(pitch off voltage) ปกติมีค่าประมาณ -5 โวลต์
มอสเฟต(MOSFET)มอสเฟตมาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่มีการเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ ค่าความต้านทานทางอินพุต(เกต)มีค่าสูงมาก มอสเฟตแบ่งเป็นสองแบบคือ แบบดีพลีชั่นและแบบเอนฮานซ์เมนต์ ทั้งสองแบบนี้ควบการทำงานแตกต่างกัน คือ แบบดีพลีชั่นใช้ไฟลบควบคุมทำงานของมอสเฟต ส่วนแบบเอนฮานซ์เมนต์ใช้ไฟบวกควบคุมการทำงานของมอสเฟต
รูปที่3
มอสเฟตส่วนใหญ่มักนำไปใช้ในงานที่ใช้กำลังวัตต์สูงๆ เช่น ภาคควบคุมไฟ(switching power supply) , เครื่องขยายเสียงมอสเฟต เป็นต้น